高通力挺台积电FinFET工艺:三星尴尬癌犯了_吉林快3投注|官方平台

网站地图
吉林快3投注|官方平台
设为首页
加入收藏

首页     财经     新闻     央行     银监会     证监会     保监会     股票     基金     债券     外汇     期货

最新更新
相关文章
吉林快3投注|官方平台 > 财经 > 高通力挺台积电FinFET工艺:三星尴尬癌犯了文章内容
高通力挺台积电FinFET工艺:三星尴尬癌犯了

作者:admin      发布日期:2019-12-09   点击:

­  高通、三星已经率先进入10nm工艺节点,接下来会是7nm,前者的首发产品有望是骁龙845。

­  关于骁龙845的7nm代工问题,一直传闻不断,但总结下来无非台积电和三星两种。

­  据Digitimes报道,高通授权业务的高级副总裁Sudeepto Roy最近到访台湾接受采访时指出,将和台积电扩大代工合作。

­  他表示,从2006年的65nm开始,高通开始和台积电建立商业伙伴关系,后来的45nm、28nm也都非常成功。他表示,未来,高通还会有大量的芯片订单给到TSMC,用上后者的FinFET工艺。

­  这番言论随即引发外界联想,一是高通骁龙芯片的7nm FinFET确定给了台积电,二是至少基带(BP)部分已经被台积电拿到,至于AP(应用处理器)则依然面临三星的竞争。

­  如果第一种坐实,那么三星无疑是尴尬的。连续为高通代工了成功的14nm骁龙820/821和10nm骁龙835却被抛弃,而且Galaxy S9还要首发……

­  Roy还谈到了和苹果的官司,认为他们会最终胜诉。

­  不过,苹果的官司中还牵涉到了富士康、仁宝、和硕、纬创等台企,且他们站在苹果这边。

­  高通强调,以诺基亚8为例,这款骁龙835的手机依然是富士康代工,意在强调大家都是遵守合同和有商业操守的企业,不会心存私心。



↑返回顶部 打印本页 ×关闭窗口
关于我们 | 本站动态 | 广告服务| 商业合作 | 联系方式 | 服务声明 |
Copyright © 2017 吉林快3投注|官方平台 版权所有